- N/A
- 2.2V @ 250µA
- ±20V
- MOSFET (Metal Oxide)
- 8-VSONP (5x6)
- NexFET™
- 3.2mOhm @ 25A, 10V
- 3.2W (Ta), 156W (Tc)
- 8-PowerTDFN
- Tape & Reel (TR)
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Surface Mount
- 5070 pF @ 30 V
- 58 nC @ 10 V
- N-Channel
- -
- 4.5V, 10V
- 60 V
- 100A (Ta)
- CSD18532
| 제품 속성 | |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | CSD17573Q5BT | CSD17573Q5B | CSD17576Q5B | CSD19531Q5A |
| 제조사 | N/A | N/A | N/A | N/A |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 작동 온도 | - | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | - | - | - | - |
| 패키지 | - | Bulk | Bulk | Bulk |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - | - | - | - |
| 과학 기술 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | - | - | - | - |
| Vgs (최대) | - | - | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | - | - | - |
| 실장 형 | - | - | - | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - | - | - | - |
| 연속 | - | * | * | * |
| 전력 소비 (최대) | - | - | - | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | - | - | - | - |
| FET 유형 | - | - | - | - |
